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NTR1P02, NVR1P02
300
250
200
C iss
C rss
T J = 25 ° C
6
4.5
V DS
Q T
150
100
C iss
C oss
3
1.5
Q 1
Q 2
V GS
50
0
10
V DS = 0 V
5
0
V GS = 0 V
5
10
C rss
15
20
25
0
0
0.5
1
1.5
I D = ? 1 A
T J = 25 ° C
2
? V GS
? V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
100
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1.001
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
V DD = ? 15 V
I D = ? 1 A
V GS = ? 5 V
t r
0.901
0.801
0.701
0.601
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t d(on)
0.501
0.401
0.301
t f
0.201
0.101
1
1
10
100
0.001
2.0E ? 01 3.0E ? 01
4.0E ? 01
5.0E ? 01 6.0E ? 01 7.0E ? 01
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
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